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晶圓清洗【TC WAFER】

晶圓清洗是指在集成電路制造過程中，晶圓表面的污染物和氧化物被化學或物理去除，使晶圓表面符合清潔要求的過程。晶圓清洗的原理是在不損壞晶圓的情況下去除各種雜質。[6]

去除顆粒的機制主要有四種：溶解、氧化分解、顆粒和硅片表面的電排斥、硅片表面的輕微腐蝕。

對于金屬顆粒的去除，通常使用SC-2溶液或HPM溶液來降低晶圓表面的金屬含量。其中，SC-2溶液會產生晶體，這可能會增加清洗后晶體表面顆粒的數量。因此，金屬顆?？梢杂肏F代替HCL，也可以用O3和HF代替SC-2溶液，金屬顆粒也可以很好地去除。【TC WAFER】

對于有機污染物，通常采用SPM溶液或紫外線/臭氧干洗技術去除。

經濕法清洗后，晶圓必須徹底干燥，以確保表面沒有水痕，然后才能進入下一步工藝。目前最常見的干燥方式有三種:旋轉干燥、Marangoni干燥和熱異丙醇霧化。

行業(yè)發(fā)展【TC WAFER】

近日，全球EDA和半導體IP領域的龍頭企業(yè)新思科技首席戰(zhàn)略官AntonioVaras接受了西班牙國家報告。(ElPaís)在視頻采訪中，臺積電生產了世界上90%的10nm以下的先進工藝芯片。如果中國臺灣省芯片因臺海沖突無法出口，世界各地的工廠將被迫停工3周至3個月。

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