碳化硅載盤（也成碳化硅托盤）在半導體行業(yè)具有廣泛應用，CVD、RTP/RTA、真空濺射、刻蝕、蒸鍍、氣體沉淀等，比如，在對襯底進行刻蝕時，需通過碳化硅載盤承載半導體襯底。

碳化硅載盤材質成分是純SiC（純度＞99.9%），與石墨基載盤相比，其使用壽命是后者的四倍，且長期使用不變形，穩(wěn)定性好，能夠耐各種強酸強堿化學試劑腐蝕（比如FH酸、濃H2SO4）。SiC載盤還具有優(yōu)秀的導熱性、低膨脹系數(shù)，抗熱沖擊性佳，耐電漿沖擊性等特點。

碳化硅載盤是采用高純超細碳化硅微粉，通過靜壓工藝成型、經(jīng)2450℃高溫燒結而制成。可根據(jù)用戶設計圖紙要求進行外徑、厚度尺寸，穴位數(shù)量、尺寸、取片槽位置和形狀進行精加工，以滿足用戶的具體使用要求。

?

8基本參數(shù)

8主要優(yōu)勢與特點

碳化硅載盤，可根據(jù)不同工藝其名稱不一樣，比如，碳化硅刻蝕盤，ICP刻蝕盤，LED刻蝕用碳化硅托盤（SIC托盤）等。其主要功能特點如下：

?耐高溫--1800℃溫度下正常使用；

?高熱導性--和石墨材料的導熱性相當；

?硬度高--硬度僅次于金剛石、立方氮化硼；

?耐腐蝕--強酸、強堿對其無任何腐蝕，抗腐蝕性優(yōu)于碳化鎢和氧化鋁；

?重量輕--密度3.10g/cm3,與鋁接近；

?不變形--極小的熱膨脹系數(shù)；

?抗熱震--該材料可承受急劇的溫度變化，抗熱沖擊，耐急冷急熱，性能穩(wěn)定。

?

8典型應用

·LED芯片制造中的RTP /RTA快速高溫熱處理工藝

·CVD、MOCVD、真空磁控濺射

·刻蝕、蒸鍍、氣體沉淀

?

?

?

?

?

?